
Für seine Dissertation »Parasitäre Oxide an vergrabenen Grenzflächen in modernen Silizium-Solarzellen« ist Stefan Lange vom Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP in Halle (Saale) mit dem mit 500 Euro dotierten Heinz-Bethge-Preis für Materialwissenschaften der Heinz-Bethge-Stiftung für angewandte Elektronenmikroskopie ausgezeichnet worden. Seine Erkenntnisse können dazu beitragen, die grundlegenden Eigenschaften der Schichtsysteme in einer Solarzelle und die damit verbundenen elektronischen Eigenschaften besser zu verstehen.
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