Volker Naumann

Main Research

• Electrical characterization: spatially resolved electrical characterization, layer and contact resistance determination and defect diagnostics down to the micrometer scale; lock-in thermography; magnetic field-based analyses
• Analytics: chemical characterization of coatings and interfaces using sensitive surface analysis (XPS, ToF-SIMS) and (analytical) electron microscopy (SEM, EBIC/EBAC, TEM, STEM/EDX) in combination with target preparation methods (e.g. FIB); special analytics for H2 applications
• Development of measurement methods and setups

Academic Résumé

• since 2022
  
  Research fellow group »Material Diagnostics for H₂ Technologies« and team manager »Defect Diagnostics«
   

• 2017-2021
  
  Team manager »Surface and Layer Characterization«
  
  
• 2015-2021
  
  Research fellow group Diagnostics and Metrology at Fraunhofer CSP   
  

Training

• 2010-2014
  
  Doctorate (with distinction) at Martin-Luther-University Halle-Wittenberg and Fraunhofer CSP on the topic »Cause analysis and physical modelling for potential-induced degradation of silicon solar cells«
  
  
• 2004 - 2009
  
  Diploma in physics at Martin-Luther-University Halle-Wittenberg
  Diploma thesis at Fraunhofer CSP: »Microstructure investigations and electrical characterization of local contacts on solar cells«

Prizes and Awards

• V. Naumann, N. Schüler, C. Hagendorf, Best Poster Award, SNEC 2018 Scientific Conference in Area PV Modules & Systems für den Posterbeitrag Rapid PID testing and assessment of PID stability at installed PV modules
• K. Ilse, J. Rabanal, L. Schönleber, M. Khan, V. Naumann, C. Hagendorf, J. Bagdahn, Best Student Paper Award auf der 44th IEEE PVSC in Washington DC am 29.06.2017 für "Comparing indoor and outdoor soiling experiments for different glass coatings and microstructural analysis of particle caking processes"
• V. Naumann,DIN Innovationspreis 2017 für das Projekt "DIN SPEC 91348 - Prüfung von kristallinen Silicium-Solarzellen auf die Anfälligkeit für Potential-induzierte Degradation"
• V. Naumann, D. Lausch, N. Schüler, C. Hagendorf, Best Poster Award der 26th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26) für den Posterbeitrag "Outdoor PID testing of modules in PV systems", 28.10.2016, Singapur
• V. Naumann, Werkstoff-Preis 2016 der Schott AG für die Promotionsarbeit "Ursachenanalyse und physikalische Modellbildung für Potential-induzierte Degradation von Silizium-Solarzellen", 08.06.2016, Halle
• V. Naumann, C. Hagendorf, D. Lausch, Ein PID-Testverfahren für Solarzellen und Solarmodulkomponenten, das Kosten und Zeit spart, Anerkennungspreis in der Kategorie "Lokaler Wissenschaftspreis des IQ Innovationspreis Mitteldeutschland", 07.07.2015, Halle
• V. Naumann, Luther-Urkunde für die mit Auszeichnung bewertete Dissertation "Ursachenanalyse und physikalische Modellbildung für Potential-induzierte Degradation von Silizium-Solarzellen", 03.06.2015, Halle
• V. Naumann, D. Lausch, K. Dornich, C. Hagendorf, Finalist für den Intersolar Europe Award 2015 mit der Einreichung "PIDcon: A PID Quick Test for Solar Cells and Module Components", 22.06.2015, München
• V. Naumann, Finalist (beste 4) für den SolarWorld Junior Einstein Award 2015 mit der Dissertation "Ursachenanalyse und physikalische Modellbildung für Potential-induzierte Degradation von Silizium-Solarzellen", 22.05.2015, Freiberg (Sachsen)
• V. Naumann, J. Bauer, O. Breitenstein, S. Großer, C. Hagendorf, D. Lausch, M. Schütze, SiliconPV Award (2. Platz) der 3rd International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics 2013 für den Beitrag "Towards a physical model for potential-induced degradation (PID) of silicon solar cells", 27.03.2013, Hameln
• V. Naumann, D. Lausch, S. Großer, M. Werner, S. Swatek, C. Hagendorf, J. Bagdahn, Best Poster Award der PV Asia Pacific Conference 2012 für den Posterbeitrag "Spatially resolved microstructural root cause anaysis of potential-induced degradation (PID) of solar cells", 25.10.2012, Singapur

Publications
 

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